[发明专利]横向双扩散晶体管及其漂移区的制造方法

摘要

本发明公开了一种横向双扩散晶体管漂移区的制造方法，本发明中，利用了胶层和掩膜层的设计，利用涂覆在最后介质层上的胶层作为阻挡，先对第二介质层，或第二和第三介质层，进行各向异性刻蚀，打开漂移区的中间区域，进行第一次漂移区注入，再利用胶层或第三介质层作为阻挡，对第二介质层进行各向同性刻蚀，去除胶层或胶层和第三介质层，利用第二介质层作为阻挡，进行第二次漂移区注入。在两次漂移区注入之间，仅需要进行一次光刻，形成了线性梯度漂移区。本发明减少了工艺流程和制作成本，并能够满足较高关断击穿电压和较低导通阻抗。

主权项

一种横向双扩散晶体管漂移区的制造方法，包括以下步骤：在衬底表面依次至少淀积第一介质层和第二介质层，形成掩膜层；通过涂覆胶层曝光打开漂移区的中间位置，利用胶层作为阻挡，对第二介质层进行各向异性刻蚀，并进行第一次漂移区的注入，形成第一掺杂区；利用涂覆在最后介质层上的胶层作为阻挡，对第二介质层进行各向同性刻蚀；去除胶层，利用第二介质层进行阻挡，再进行第二次漂移区的注入，形成第二掺杂区；其中，所述第一掺杂区和第二掺杂区的类型相同，二者共同组成线性梯度掺杂的漂移区。