[发明专利]一种芯片的板级封装结构及制作方法有效

专利信息
申请号: 201611117441.5 申请日: 2016-12-07
公开(公告)号: CN106531711B 公开(公告)日: 2019-03-05
发明(设计)人: 郭学平;于中尧;曹立强;林挺宇;郝虎 申请(专利权)人: 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司
主分类号: H01L23/492 分类号: H01L23/492;H01L21/60
代理公司: 北京品源专利代理有限公司 11332 代理人: 孟金喆;胡彬
地址: 214000 江苏省无锡市新区太湖国*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 发明提供了一种芯片的板级封装结构及制作方法,其中封装结构包括:基板,基板上形成有至少两个容纳空间;IGBT芯片和驱动芯片分别嵌入到对应的容纳空间内;形成在基板、IGBT芯片和驱动芯片表面上的第一介质层,IGBT芯片和驱动芯片的至少部分电极露出并覆盖有第一金属镀层,且至少一个IGBT芯片的栅极通过由第一金属镀层形成的第一线路层与驱动芯片的控制电极电连接;在第一介质层以及第一线路层上覆盖第二介质层,且IGBT芯片的源极和漏极上方的第一金属镀层露出;形成第一金属镀层上的金属种子层;形成在第二介质层和金属种子层上的第二金属镀层。本发明实施例提供了一种芯片的板级封装结构及制作方法,有效改善了芯片封装结构的电学性能。
搜索关键词: 一种 芯片 封装 结构 制作方法
【主权项】:
1.一种芯片的板级封装结构,其特征在于,包括:基板,所述基板上形成有至少两个容纳空间,所述容纳空间贯穿所述基板;嵌入所述容纳空间内的至少一个IGBT芯片和至少一个驱动芯片,所述IGBT芯片和所述驱动芯片分别嵌入到对应的容纳空间内;形成在所述基板、所述IGBT芯片和所述驱动芯片表面上的第一介质层,所述IGBT芯片和所述驱动芯片的至少部分电极露出并覆盖有第一金属镀层,且至少一个所述IGBT芯片的栅极通过由所述第一金属镀层形成的第一线路层与所述驱动芯片的控制电极电连接;在所述第一介质层以及所述第一线路层上覆盖第二介质层,且所述IGBT芯片的源极和漏极上方的第一金属镀层露出;形成在所述源极和漏极上方的第一金属镀层上的金属种子层;形成在所述第二介质层和所述金属种子层上的第二金属镀层。
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