[发明专利]异质接面太阳能电池及其制造方法

摘要

本发明公开一种异质接面太阳能电池，包含：配置于半导体基板相对两侧的第一本质非晶硅层与第二本质非晶硅层、配置于第一本质非晶硅层上的P型非晶硅层、配置于第二本质非晶硅层上的N型非晶硅层、配置于P型非晶硅层上的第一透明导电层、配置于N型非晶硅层上的第二透明导电层、配置于第一透明导电层上的多个电极线及覆盖第二透明导电层的电极层。太阳光由第一透明导电层进入异质接面太阳能电池后，可通过电极层将短波长的光线反射回内部，让异质接面太阳能电池二次吸收短波长的光线，使得短路电流上升，用以达成提高光电转换效率的技术功效。

主权项

1.一种异质接面太阳能电池，其特征在于，包含：一半导体基板，具有彼此相对的一第一表面与一第二表面；一第一本质非晶硅层，配置于该第一表面上；一P型非晶硅层，配置于该第一本质非晶硅层上；一第二本质非晶硅层，配置于该第二表面上；一N型非晶硅层，配置于该第二本质非晶硅层上；一第一透明导电层，配置于该P型非晶硅层上；一第二透明导电层，配置于该N型非晶硅层上；多个电极线，配置于该第一透明导电层上；以及一电极层，配置于该第二透明导电层上。