[发明专利]一种嵌入式埋容材料及其制备方法在审
| 申请号： | 201611120327.8 | 申请日： | 2016-12-08 |
| 公开（公告）号： | CN108178925A | 公开（公告）日： | 2018-06-19 |
| 发明（设计）人： | 张莹莹;杨殿来;许壮志;时卓;赵辉 | 申请（专利权）人： | 辽宁法库陶瓷工程技术研究中心 |
| 主分类号： | C08L79/08 | 分类号： | C08L79/08;C08K3/24;C08K3/22;C08G73/10;C08J5/18;C08J7/06 |
| 代理公司： | 沈阳维特专利商标事务所(普通合伙) 21229 | 代理人： | 甄玉荃 |
| 地址： | 110000 辽宁省沈*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | 本发明的目的在于提供一种高性能嵌入式埋容材料及其制备方法。无机粉体材料的固含量高达40％以上，大幅度的提高了杂化材料的电学性能，采用流延法方式进行一定厚度流延膜片的制备，采用梯度升温温度制度进行膜片的亚胺化，后在干燥后的膜片上进行丝网印刷导电层，并低温下进行烘干工艺，最终制得嵌入式埋容材料。这种特殊材料在360℃以下具有稳定的电学性能，介电常数在40左右，不高于400℃时具有极佳的尺寸稳定性。 | ||
| 搜索关键词： | 埋容材料 嵌入式 制备 电学性能 膜片 无机粉体材料 介电常数 流延膜片 丝网印刷 梯度升温 温度制度 杂化材料 导电层 固含量 流延法 亚胺化 烘干 | ||
【主权项】：
1.一种嵌入式埋容材料，其特征在于：包括无机纳米粉体、聚酰亚胺合成原料、导电电极；所述无机纳米粉体的含量为0‑40％，平均粒径为30‑150nm；所述聚酰亚胺合成原料包括3，3’，4，4’‑二苯甲酮四甲酸二酐、4，4’‑二氨基二苯醚，溶剂为N‑甲基吡咯烷酮，分散剂采用进口BYK‑W9010；所述导电电极为金属导电浆料。
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