[发明专利]低温多晶硅膜制备方法、薄膜晶体管及其制备方法

摘要

本发明涉及一种低温多晶硅膜的制备方法、薄膜晶体管的制备方法与薄膜晶体管，上述低温多晶硅膜的制备方法中，在玻璃基板的预定区域内形成导热层，采用准分子激光退火工艺对所述非晶硅层进行激光晶化的过程中，对所述导热层进行加热，使得非晶硅层内部存在温度差异，在由非晶硅层形成的低温多晶硅层中，多晶硅晶粒沿横向方向生长且晶粒更大，具有更少的晶界，增大了制得的低温多晶硅膜的载流子迁移率，降低了制得的低温多晶硅膜应用于TFT的有源层时产生的漏电流，提高了TFT的阈值电压的稳定性，使得含有上述低温多晶硅膜的TFT具有更优良的电性能。

主权项

1.一种低温多晶硅膜的制备方法，其特征在于，包括：在玻璃基板的预定区域内形成导热层；在所述导热层及所述玻璃基板上形成缓冲层；在所述缓冲层上形成非晶硅层；采用准分子激光退火工艺对所述非晶硅层进行激光晶化，并对所述导热层进行加热，将所述非晶硅层转化为低温多晶硅膜；其中，所述导热层的热量通过所述缓冲层向所述非晶硅层传导，使得所述非晶硅层中被所述导热层覆盖的区域温度升高。