[发明专利]半导体装置和制作半导体装置的方法在审
| 申请号： | 201611122318.2 | 申请日： | 2016-12-08 |
| 公开（公告）号： | CN107039517A | 公开（公告）日： | 2017-08-11 |
| 发明（设计）人： | 约翰内斯·J·T·M·唐克尔;雷德弗里德勒·阿德里安斯·玛利亚·胡尔克斯;杰伦·安东·克龙;马克·安杰伊·加赫达;简·雄斯基 | 申请（专利权）人： | 安世有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L21/335;H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司11112 | 代理人： | 麦善勇,张天舒 |
| 地址： | 荷兰*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明公开一种半导体装置和其制作方法。所述装置包括基板，所述基板包括位于GaN层上的AlGaN层，用于在所述AlGaN层与所述GaN层之间的界面处形成二维电子气体。所述装置还包括位于所述基板的主表面上的多个电接点。所述装置另外包括位于所述基板的所述主表面上的多个钝化层。所述多个钝化层包括接触所述主表面的第一区域的第一钝化材料的第一钝化层和接触所述主表面的第二区域的第二钝化材料的第二钝化层。所述第一和第二钝化材料为不同钝化材料。所述不同钝化材料可为包括不同比例的硅的氮化硅的组合物。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 制作 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体装置，其特征在于，包括：基板，所述基板包括位于GaN层上的AlGaN层，用于在所述AlGaN层与所述GaN层之间的界面处形成二维电子气体；位于所述基板的主表面上的多个电接点；以及位于所述基板的所述主表面上的多个钝化层，所述多个钝化层包括：第一钝化层，其包括接触所述主表面的第一区域的第一钝化材料；以及第二钝化层，其包括接触所述主表面的第二区域的第二钝化材料，其中所述第一和第二钝化材料为不同钝化材料。
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