[发明专利]一种具有高线性度的GaN鳍式高电子迁移率晶体管及其制造方法在审
| 申请号： | 201611122851.9 | 申请日： | 2016-12-08 |
| 公开（公告）号： | CN106684141A | 公开（公告）日： | 2017-05-17 |
| 发明（设计）人： | 张凯;孔月婵;周建军;陈堂胜 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第五十五研究所 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/06;H01L29/423;H01L21/336 |
| 代理公司： | 南京经纬专利商标代理有限公司32200 | 代理人： | 吴树山 |
| 地址： | 210016 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种具有高线性度的GaN鳍式高电子迁移率晶体管及其制造方法，本发明的晶体管的结构自下而上依次包括衬底、缓冲层、势垒层、钝化层；所述势垒层上方的一端设有源极和另一端设有漏极；位于所述源极和漏极之间的势垒层上方设有钝化层，所述钝化层中设有凹槽，所述凹槽内设有T型栅极，其特征在于，仅限于所述凹槽下方区域的势垒层与缓冲层上刻蚀有周期性排列的GaN基三维鳍片，所述GaN基三维鳍片的长度与凹槽的长度相等，在相邻的GaN基三维鳍片之间设有刻蚀形成的隔离槽。本发明的器件线性度、输出电流高，栅控能力强、散热性能好，频率特性高；本发明的工艺方法简单可靠，适用于大功率高线性微波功率器件。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 具有 线性 gan 鳍式高 电子 迁移率 晶体管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种具有高线性度的GaN鳍式高电子迁移率晶体管，该晶体管的结构自下而上依次包括衬底(1)、缓冲层(2)、势垒层(3)、钝化层(6)；所述势垒层(3)上方的一端设有源极(4)和另一端设有漏极(5)；位于所述源极(4)和漏极(5)之间的势垒层(3)的上方设有钝化层(6)，所述钝化层(6)中设有凹槽(7)，所述凹槽(7)内设有T型栅极(9)，其特征在于，仅限于所述凹槽(7)下方区域内的势垒层(3)与缓冲层(2)上刻蚀有周期性排列的GaN基三维鳍片(8)，所述GaN基三维鳍片(8)的长度与凹槽(7)的长度相等，在相邻的GaN基三维鳍片(8)之间设有刻蚀形成的隔离槽。
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