[发明专利]用于形成半导体器件的方法有效
| 申请号： | 201611123257.1 | 申请日： | 2016-12-08 |
| 公开（公告）号： | CN106876270B | 公开（公告）日： | 2020-06-30 |
| 发明（设计）人： | W·舒斯特德;R·巴布斯克;R·伯格;T·古特;J·G·拉文;H·舒尔策 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/331 | 分类号： | H01L21/331 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 郑立柱;张昊 |
| 地址： | 德国诺伊*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 用于形成半导体器件的方法包括形成非晶或多晶半导体层，该非晶或多晶半导体层与位于半导体衬底中的具有第一导电类型的至少一个半导体掺杂区域相邻。该方法还包括在形成非晶或多晶半导体层期间或之后将掺杂物结合到该非晶或多晶半导体层中。该方法还包括退火非晶或多晶半导体层，以将非晶或多晶半导体层的至少一部分转换为基本单晶半导体层并且在该单晶半导体层中形成具有第二导电类型的至少一个掺杂区域，使得pn结形成在具有第一导电类型的至少一个半导体掺杂区域与具有第二导电类型的至少一个掺杂区域之间。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 形成 半导体器件 方法 | ||
【主权项】：
一种用于形成半导体器件的方法，所述方法包括：形成非晶或多晶半导体层，所述非晶或多晶半导体层与位于半导体衬底中的具有第一导电类型的至少一个半导体掺杂区域相邻；在形成所述非晶或多晶半导体层期间或之后，将掺杂物结合到所述非晶或多晶半导体层中；以及退火所述非晶或多晶半导体层以将所述非晶或多晶半导体层的至少一部分转换为基本单晶半导体层并且在所述单晶半导体层中形成具有第二导电类型的至少一个掺杂区域，使得pn结形成在具有所述第一导电类型的所述至少一个半导体掺杂区域与具有所述第二导电类型的所述至少一个掺杂区域之间。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
