[发明专利]一种离子注入设备及系统有效
| 申请号： | 201611124178.2 | 申请日： | 2016-12-08 |
| 公开（公告）号： | CN106531605B | 公开（公告）日： | 2018-06-05 |
| 发明（设计）人： | 严鹏;顾孛;刘明 | 申请（专利权）人： | 苏州能讯高能半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01J37/317 | 分类号： | H01J37/317 |
| 代理公司： | 北京超凡志成知识产权代理事务所(普通合伙) 11371 | 代理人： | 史明罡 |
| 地址： | 215300 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种离子注入设备及系统，该离子注入设备包括离子源腔室、加速管、磁分选仪、隔离腔室以及目标离子通道。离子源腔室用于生成离子束。加速管与所述离子源腔室相连接，用于对所述离子束加速。磁分选仪与所述加速管相连接，用于对加速后的所述离子束进行分选。隔离腔室设置在磁分选仪的出口，用于接收经分选后的杂质离子。目标离子通道供所述目标离子通过以注入到半导体器件中。通过设置隔离腔室，可将离子束中的杂质离子吸收，使杂质离子不会轰击到磁分选仪上，避免对磁分选仪产生损害和产生额外的杂质，进而提高离子注入工艺的生产质量。 | ||
| 搜索关键词： | 磁分选 离子束 离子注入设备 离子源腔室 隔离腔室 目标离子 杂质离子 加速管 分选 离子注入工艺 半导体器件 轰击 吸收 损害 出口 生产 | ||
【主权项】：
一种离子注入设备，其特征在于，包括：用于生成离子束的离子源腔室，所述离子束包括目标离子和杂质离子；与所述离子源腔室相连接，用于对所述离子束加速的加速管；与所述加速管相连接，用于对加速后的所述离子束进行分选的磁分选仪；设置在所述磁分选仪的出口，用于接收经过所述磁分选仪分选后的杂质离子的隔离腔室；及供所述目标离子通过以将所述目标离子注入半导体器件的目标离子通道；其中，所述隔离腔室靠近所述磁分选仪的一侧设置有开关门体，该开关门体在所述离子注入设备工作时打开，以使所述杂质离子进入到所述隔离腔室内部；所述隔离腔室包括第一隔离子腔室和第二隔离子腔室，所述第一隔离子腔室和第二隔离子腔室分别设置在所述磁分选仪的出口的两侧，所述目标离子通道位于第一隔离子腔室和第二隔离子腔室之间。
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