[发明专利]调节接口层形成两端存储器有效
| 申请号： | 201611124647.0 | 申请日： | 2016-12-08 |
| 公开（公告）号： | CN106935703B | 公开（公告）日： | 2020-01-17 |
| 发明（设计）人： | S·纳拉亚南;S·H·赵;L·赵 | 申请（专利权）人： | 科洛斯巴股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 11314 北京戈程知识产权代理有限公司 | 代理人： | 程伟;王锦阳 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明涉及调节接口层形成双端存储器。本发明提供了一种双端存储器器件的制造，构造和/或组装。双端存储器器件可以包括具有含硅层，界面层和活性金属层的有源区。界面层可以在含硅层上生长，并且界面层的生长可以用一氧化二氮等离子体来调节。 | ||
| 搜索关键词： | 调节 接口 形成 两端 存储器 | ||
【主权项】：
1.一种形成半导体器件的方法，包括：/n提供具有形成在其上的第一端子的互补型金属氧化物半导体(CMOS)衬底；/n在所述第一端子上形成导电材料层；/n在包括硅烷等离子体和氨等离子体的处理室中形成在所述导电材料层上的包括非化学计量硅亚氮化物的电阻开关材料层；/n形成阻挡层覆盖于所述电阻开关材料层；/n形成活性金属层包含活性金属材料覆盖于所述阻挡层上；以及/n提供摄氏400度或以上温度高温烘烤于所述半导体器件，并响应所述高温烘烤所引起金属粒子从所述活性金属材料扩散至所述阻挡层，其中所述活性金属材料选自由AlN,Ti,Ti及非化学计量Cu低氧化物，其化学式为CuO
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