[发明专利]电容结构有效
| 申请号： | 201611126816.4 | 申请日： | 2016-12-09 |
| 公开（公告）号： | CN107017087B | 公开（公告）日： | 2019-05-14 |
| 发明（设计）人： | 杜佾璋;蔡丽端;林甘轩 | 申请（专利权）人： | 财团法人工业技术研究院 |
| 主分类号： | H01G9/15 | 分类号： | H01G9/15;H01G9/028;H01G9/07 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 任岩 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供的电容结构，包括：正极；介电层，位于正极上；以及有机‑无机复合物层，位于介电层上；负极；以及导电性共轭高分子电解质，位于有机‑无机复合物层与负极之间。 | ||
| 搜索关键词： | 电容 结构 | ||
【主权项】：
1.一种电容结构，其特征在于，包括：一正极；一介电层，位于该正极上；一有机‑无机复合物层，位于该介电层上，其中该有机‑无机复合物层是由绝缘高分子与无机物混合而成；一负极；以及一导电性共轭高分子电解质，位于该有机‑无机复合物层与该负极之间。
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