[发明专利]主动开关阵列基板及其制备方法有效
申请号: | 201611127220.6 | 申请日: | 2016-12-08 |
公开(公告)号: | CN106601689B | 公开(公告)日: | 2019-04-09 |
发明(设计)人: | 卓恩宗 | 申请(专利权)人: | 惠科股份有限公司;重庆惠科金渝光电科技有限公司 |
主分类号: | H01L21/84 | 分类号: | H01L21/84;H01L21/336;H01L21/28;H01L27/12;H01L29/10;H01L29/417;H01L29/786 |
代理公司: | 深圳市世纪恒程知识产权代理事务所 44287 | 代理人: | 胡海国 |
地址: | 518000 广东省深圳市宝安区石岩街道水田村民*** | 国省代码: | 广东;44 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明提供一种主动开关阵列基板的制备方法,其包括:提供基板;在基板上镀覆第一金属层;对第一金属层进行第一次光刻处理,形成栅极;于基板、栅极上沉积非晶硅层;在非晶硅层上镀覆形成第二金属层;对第二金属层进行第二次光刻处理,以形成图案化第二金属层;于图案化第二金属层上涂覆钝化层;对钝化层进行第三次光刻处理,以形成通孔于钝化层上;于钝化层上镀覆透光导电层,其中透光导电层穿过通孔与图案化第二金属层接触;对透光导电层、钝化层、及图案化第二金属层进行第四次光刻处理,于透光导电层、钝化层、及图案化第二金属层上形成通道、源极及漏极,源极和漏极分别位于通道的两侧。本发明还提供由该制备方法制得的主动开关阵列基板。 | ||
搜索关键词: | 主动 开关 阵列 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
1.一种主动开关阵列基板的制备方法,其包括以下步骤:提供一基板;在所述基板上镀覆第一金属层;对所述第一金属层进行第一次光刻处理,以形成栅极;于所述基板、所述栅极上沉积非晶硅层;在所述非晶硅层上镀覆形成第二金属层;对所述第二金属层进行第二次光刻处理,以形成图案化第二金属层;于所述图案化第二金属层上涂覆钝化层;对所述钝化层进行第三次光刻处理,以形成通孔于所述钝化层上;于所述钝化层上镀覆透光导电层,其中所述透光导电层穿过所述通孔与所述图案化第二金属层接触;对所述透光导电层、所述钝化层、及所述图案化第二金属层进行第四次光刻处理,于所述透光导电层、所述钝化层、及所述图案化第二金属层上形成通道、源极及漏极,所述源极和所述漏极分别位于所述通道的两侧。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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