[发明专利]主动开关阵列基板及其制备方法有效

专利信息
申请号: 201611127220.6 申请日: 2016-12-08
公开(公告)号: CN106601689B 公开(公告)日: 2019-04-09
发明(设计)人: 卓恩宗 申请(专利权)人: 惠科股份有限公司;重庆惠科金渝光电科技有限公司
主分类号: H01L21/84 分类号: H01L21/84;H01L21/336;H01L21/28;H01L27/12;H01L29/10;H01L29/417;H01L29/786
代理公司: 深圳市世纪恒程知识产权代理事务所 44287 代理人: 胡海国
地址: 518000 广东省深圳市宝安区石岩街道水田村民*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 发明提供一种主动开关阵列基板的制备方法,其包括:提供基板;在基板上镀覆第一金属层;对第一金属层进行第一次光刻处理,形成栅极;于基板、栅极上沉积非晶硅层;在非晶硅层上镀覆形成第二金属层;对第二金属层进行第二次光刻处理,以形成图案化第二金属层;于图案化第二金属层上涂覆钝化层;对钝化层进行第三次光刻处理,以形成通孔于钝化层上;于钝化层上镀覆透光导电层,其中透光导电层穿过通孔与图案化第二金属层接触;对透光导电层、钝化层、及图案化第二金属层进行第四次光刻处理,于透光导电层、钝化层、及图案化第二金属层上形成通道、源极及漏极,源极和漏极分别位于通道的两侧。本发明还提供由该制备方法制得的主动开关阵列基板。
搜索关键词: 主动 开关 阵列 及其 制备 方法
【主权项】:
1.一种主动开关阵列基板的制备方法,其包括以下步骤:提供一基板;在所述基板上镀覆第一金属层;对所述第一金属层进行第一次光刻处理,以形成栅极;于所述基板、所述栅极上沉积非晶硅层;在所述非晶硅层上镀覆形成第二金属层;对所述第二金属层进行第二次光刻处理,以形成图案化第二金属层;于所述图案化第二金属层上涂覆钝化层;对所述钝化层进行第三次光刻处理,以形成通孔于所述钝化层上;于所述钝化层上镀覆透光导电层,其中所述透光导电层穿过所述通孔与所述图案化第二金属层接触;对所述透光导电层、所述钝化层、及所述图案化第二金属层进行第四次光刻处理,于所述透光导电层、所述钝化层、及所述图案化第二金属层上形成通道、源极及漏极,所述源极和所述漏极分别位于所述通道的两侧。
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