[发明专利]一种含铂中间层的锑掺二氧化锡电极的制备方法在审
| 申请号： | 201611131353.0 | 申请日： | 2016-12-09 |
| 公开（公告）号： | CN106906472A | 公开（公告）日： | 2017-06-30 |
| 发明（设计）人： | 朱开贵;邵彩茹 | 申请（专利权）人： | 北京航空航天大学 |
| 主分类号： | C23C28/00 | 分类号： | C23C28/00;C25B11/06;C25B11/10;C25D17/10;C23F13/12;C02F1/461 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 100191*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种含铂中间层的锑掺二氧化锡电极的制备方法，涉及到涂层钛电极的制备领域。本发明的特点是先在预处理好的钛基体上镀一层铂中间层，再涂覆锡锑活性层。钛基体的预处理包括打磨、碱洗、酸洗三个步骤，通过磁控溅射等方法在处理好的钛基体上镀一层铂中间层，然后利用热解法等方式将锡锑活性层涂覆到镀铂的钛基体上。铂中间层的加入大大降低了钛基底的钝化速度，按照此发明所述的方法制备出来的电极具有高析氧电位和高稳定性的特点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 中间层 锑掺二 氧化 电极 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种含铂中间层的钛基锑掺二氧化锡电极的制备方法，其特征在于，在处理好的钛基体上先镀一层Pt薄膜，然后再涂覆上锡锑活性层，退火后即得所需电极。
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