[发明专利]一种硅基有序化电极及其制备方法和应用在审
申请号: | 201611133319.7 | 申请日: | 2016-12-10 |
公开(公告)号: | CN108232204A | 公开(公告)日: | 2018-06-29 |
发明(设计)人: | 孙公权;夏章讯;王素力 | 申请(专利权)人: | 中国科学院大连化学物理研究所 |
主分类号: | H01M4/86 | 分类号: | H01M4/86;H01M4/88;B82Y30/00;G01N27/30 |
代理公司: | 沈阳科苑专利商标代理有限公司 21002 | 代理人: | 马驰 |
地址: | 116023 辽宁*** | 国省代码: | 辽宁;21 |
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摘要: | 本发明提供一种硅基有序化电极及其制备方法和应用,所述硅基有序化电极,以气体扩散层或电解质膜为基底,所述电极微观上为基底表面附着有具有平行排列的硅基纳米线阵列结构,硅基纳米线垂直垂直附着于基底表面,所述纳米线表面依次生长或附着有导电碳层、金属纳米粒子层和聚离子层;所述纳米线长度为1‑100μm;直径为0.02‑4微米;所述纳米线阵列的密度为每平方毫米4×104‑1×108个纳米线。与现有技术相比,本发明具有结构有序可控、贵金属催化活性高、贵金属利用率高、传质性能好、实用性强等优点。 | ||
搜索关键词: | 电极 附着 硅基 制备方法和应用 硅基纳米线 基底表面 纳米线 垂直 金属纳米粒子层 贵金属催化 纳米线表面 纳米线阵列 气体扩散层 贵金属 传质性能 导电碳层 电解质膜 平方毫米 阵列结构 活性高 离子层 基底 可控 微观 生长 | ||
【主权项】:
1.一种硅基有序化电极,其特征在于:以气体扩散层或电解质膜为基底,所述电极微观上为基底表面附着有具有平行排列的硅基纳米线阵列结构,硅基纳米线垂直垂直附着于基底表面,所述纳米线表面依次生长或附着有导电碳层、金属纳米粒子层和聚离子层;所述纳米线长度为1‑100μm;直径为0.02‑4微米;所述纳米线阵列的密度为每平方毫米4×104‑1×108个纳米线。
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