[发明专利]一种硅基有序化电极及其制备方法和应用在审

专利信息
申请号: 201611133319.7 申请日: 2016-12-10
公开(公告)号: CN108232204A 公开(公告)日: 2018-06-29
发明(设计)人: 孙公权;夏章讯;王素力 申请(专利权)人: 中国科学院大连化学物理研究所
主分类号: H01M4/86 分类号: H01M4/86;H01M4/88;B82Y30/00;G01N27/30
代理公司: 沈阳科苑专利商标代理有限公司 21002 代理人: 马驰
地址: 116023 辽宁*** 国省代码: 辽宁;21
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明提供一种硅基有序化电极及其制备方法和应用,所述硅基有序化电极,以气体扩散层或电解质膜为基底,所述电极微观上为基底表面附着有具有平行排列的硅基纳米线阵列结构,硅基纳米线垂直垂直附着于基底表面,所述纳米线表面依次生长或附着有导电碳层、金属纳米粒子层和聚离子层;所述纳米线长度为1‑100μm;直径为0.02‑4微米;所述纳米线阵列的密度为每平方毫米4×104‑1×108个纳米线。与现有技术相比,本发明具有结构有序可控、贵金属催化活性高、贵金属利用率高、传质性能好、实用性强等优点。
搜索关键词: 电极 附着 硅基 制备方法和应用 硅基纳米线 基底表面 纳米线 垂直 金属纳米粒子层 贵金属催化 纳米线表面 纳米线阵列 气体扩散层 贵金属 传质性能 导电碳层 电解质膜 平方毫米 阵列结构 活性高 离子层 基底 可控 微观 生长
【主权项】:
1.一种硅基有序化电极,其特征在于:以气体扩散层或电解质膜为基底,所述电极微观上为基底表面附着有具有平行排列的硅基纳米线阵列结构,硅基纳米线垂直垂直附着于基底表面,所述纳米线表面依次生长或附着有导电碳层、金属纳米粒子层和聚离子层;所述纳米线长度为1‑100μm;直径为0.02‑4微米;所述纳米线阵列的密度为每平方毫米4×104‑1×108个纳米线。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院大连化学物理研究所,未经中国科学院大连化学物理研究所许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201611133319.7/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top