[发明专利]一种InSb基高温工作红外探测器材料及其制备方法

摘要

本发明公开了一种InSb基高温工作红外探测器材料及其制备方法，本发明通过利用所设计的nBin或pB’ip结构，结合分子束外延多层膜技术的优点可以制备出InSb高温工作材料，本身工艺的操作性强，而且可以借鉴成熟InSb器件工艺，为后续很快制备出双色器件创造很好的条件。

主权项

一种InSb基高温工作红外探测器材料的制备方法，其特征在于，包括：步骤A：选取势垒层Al组分以及吸收层掺杂浓度；步骤B：将InSb衬底装入外延生长室MBE，经预除气处理以及去除氧化层处理制备外延级InSb衬底；步骤C：在所述外延级InSb衬底上生长InSb缓冲层以及InSb下接触层；步骤D：在所述InSb下接触层上生长InSb吸收层；步骤E：在所述InSb吸收层上生长InAlSb势垒层；步骤F：在所述InAlSb势垒层上生长InSb上接触层。