[发明专利]图像传感器、成像系统及电连接系统

摘要

本申请案涉及一种图像传感器、成像系统及电连接系统。图像传感器包含安置于半导体材料中的多个光电二极管及在所述半导体材料中安置成邻近所述多个光电二极管中的光电二极管的浮动扩散区。转移栅极经安置以将所述光电二极管中所产生的图像电荷转移到所述浮动扩散区中。具有第一横截面面积的第一电接触件耦合到所述转移栅极。具有第二横截面面积的第二电接触件耦合到所述浮动扩散区，且所述第二横截面面积大于所述第一横截面面积。所述图像传感器还包含安置于所述半导体材料中的像素晶体管区域，所述像素晶体管区域包含与所述半导体材料的第一电连接。具有第三横截面面积的第三电接触件耦合到与所述半导体材料的所述第一电连接，且所述第三横截面面积大于所述第一横截面面积。

主权项

1.一种图像传感器，其包括：多个光电二极管，其安置于半导体材料中；浮动扩散区，其在所述半导体材料中安置成接近所述多个光电二极管中的光电二极管；转移栅极，其经安置以将所述光电二极管中所产生的图像电荷转移到所述浮动扩散区中；第一电接触件，其具有第一横截面面积，其中所述第一电接触件耦合到所述转移栅极；第二电接触件，其具有第二横截面面积，其中所述第二电接触件耦合到所述浮动扩散区，且其中所述第二横截面面积大于所述第一横截面面积；像素晶体管区域，其安置于所述半导体材料中，所述像素晶体管区域包含与所述半导体材料的第一电连接；及第三电接触件，其具有第三横截面面积，其中所述第三电接触件耦合到与所述半导体材料的所述第一电连接，且其中所述第三横截面面积大于所述第一横截面面积。