[发明专利]静态随机存取记忆体单元

摘要

静态随机存取记忆体(static random access memory；SRAM)单元包括第一至第四晶体管，此第一至第四晶体管为第一类型晶体管，以及第五及第六晶体管，此第五及第六晶体管为第二类型晶体管。第一及第二晶体管的源极区是由第一源极扩散区形成，第五及第六晶体管的源极区是分别由第二源极扩散区及第三源极扩散区形成，并且第三及第四晶体管的源极区是由第四源极扩散区形成。SRAM单元进一步包括第一数据储存电极，此第一数据储存电极自第三及第六晶体管的第一栅极线线性延伸且电连接第一栅极线及第一源极扩散区及第二源极扩散区；以及第二数据储存电极，此第二数据储存电极自第二及第五晶体管的第二栅极线线性延伸且电连接第二栅极线及第三源极扩散区及第四源极扩散区。

主权项

一种静态随机存取记忆体单元，其特征在于，包括：第一晶体管至第四晶体管，该第一晶体管至该第四晶体管为第一类型晶体管；第五晶体管及第六晶体管，该第五晶体管及该第六晶体管为第二类型晶体管，其中该第一晶体管的源极区及该第二晶体管的源极区是由第一源极扩散区形成，该第五晶体管的源极区及该第六晶体管的源极区是分别由第二源极扩散区及第三源极扩散区形成，以及该第三晶体管的源极区及该第四晶体管的源极区是由第四源极扩散区形成；第一数据储存电极，自第一栅极线性延伸，该第一栅极线将该第三晶体管的栅极及该第六晶体管的栅极彼此连接，以及将该第一栅极线及该第一源极扩散区及该第二源极扩散区彼此电连接；以及第二数据储存电极，自第二栅极线性延伸，该第二栅极线将该第二晶体管的栅极及该第五晶体管的栅极彼此连接，以及将该第二栅极线及该第三源极扩散区及该第四源极扩散区彼此电连接。