[发明专利]基于有机染料的抗可见光近红外记忆像素有效
申请号: | 201611138823.6 | 申请日: | 2016-12-12 |
公开(公告)号: | CN106783908B | 公开(公告)日: | 2019-05-14 |
发明(设计)人: | 刘云圻;王翰林;刘洪涛;杨杰;胡文平 | 申请(专利权)人: | 中国科学院化学研究所 |
主分类号: | H01L27/30 | 分类号: | H01L27/30;H01L51/05;H01L51/30;H01L51/42;H01L51/46 |
代理公司: | 北京纪凯知识产权代理有限公司 11245 | 代理人: | 关畅 |
地址: | 100080 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明公开了一种基于有机染料的抗可见光近红外记忆像素。该记忆像素,由上至下依次为光敏分压器中的薄膜电阻层、金属电极层、隔离层和有机场效应晶体管存储器;其中,光敏分压器中的金属电极层位于有机场效应晶体管存储器中的金属电极层之上;隔离层填充光敏分压器中的薄膜电阻层和有机场效应晶体管存储器中的介电层之间未被光敏分压器中的金属电极层覆盖的区域。光敏分压器在近红外下光响应明显优于可见光。该近红外记忆像素能在近红外光敏分压器驱动下,将近红外信号转换为非挥发性存储信号,有潜力应用在红外探测器和波段选择的图像传感器领域。 | ||
搜索关键词: | 基于 有机 染料 可见光 红外 记忆 像素 | ||
【主权项】:
1.一种记忆像素,由上至下依次为薄膜电阻层、金属电极层、隔离层和有机场效应晶体管存储器;所述薄膜电阻层由叠层薄膜和单薄膜层组成,且所述叠层薄膜和单薄膜层共平面,连接方式为串联;所述单薄膜层为氮,氮‑二(七氟丁基)‑1,6‑二氰基‑3,4,9,10‑苝酰亚胺薄膜;所述叠层薄膜与所述单薄膜层共用一段金属电极作为电压输出端;所述叠层薄膜由下至上依次为氮,氮‑二(2,6‑异丙基苯基)‑1,6,7,12,‑四苯氧基‑3,4,9,10‑苝酰亚胺薄膜和酞菁氧钒薄膜;所述有机场效应晶体管存储器,由下至上依次由基底、源漏电极层、半导体有源层、隧穿层、浮栅层、介电层和金属电极层组成;构成所述半导体有源层的材料为对红外无感光能力的聚合物;所述隧穿层由下至上依次为聚甲基丙烯酸甲酯薄膜和氧化石墨烯薄膜;构成所述浮栅层的材料为氧化锌纳米颗粒;其中,所述金属电极层位于所述有机场效应晶体管存储器中的金属电极层之上;所述隔离层填充所述薄膜电阻层和所述有机场效应晶体管存储器中的介电层之间未被所述金属电极层覆盖的区域。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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