[发明专利]芯片内高压雷击防护电路有效
| 申请号： | 201611140184.7 | 申请日： | 2016-12-12 |
| 公开（公告）号： | CN108615728B | 公开（公告）日： | 2021-08-03 |
| 发明（设计）人： | 田泽;邵刚;刘敏侠;唐龙飞;刘颖;胡曙凡 | 申请（专利权）人： | 中国航空工业集团公司西安航空计算技术研究所 |
| 主分类号： | H01L27/02 | 分类号： | H01L27/02 |
| 代理公司： | 中国航空专利中心 11008 | 代理人： | 杜永保 |
| 地址： | 710000 *** | 国省代码： | 陕西;61 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提出一种芯片内高压雷击防护电路，该电路包括电阻Rin、电阻Rs、高压二极管DHW、硅控整流器SCR和串列结构PMOS；硅控整流器SCR内部的连接关系为PNP管q1的集电极与NPN管q2的基极相连接，PNP管q1的基极与NPN管q2的集电极相连接，电阻R1将PNP管q1的基极与发射极相连，电阻R2将NPN管q2的基极与发射极相连接，电阻Rin一端输入端口dis连接，另一端分别与二极管DHW的阴极、电阻Rs和PNP管q1的发射极相连，电阻Rs另一端与PNP管q1的基极以及6个串联的栅源连接的pmos管P1的源极相连，二极管DHW的阳极、NPN管q2的发射极和P6的漏极连接至地。本发明通过端口串联电阻的SCR电路，实现端口的雷击保护。 | ||
| 搜索关键词： | 芯片 高压 雷击 防护 电路 | ||
【主权项】：
1.一种芯片内高压雷击防护电路，其特征在于，该电路包括电阻Rin、电阻Rs、高压二极管DHW、硅控整流器SCR和串列结构PMOS；硅控整流器SCR内部的连接关系为PNP管q1的集电极与NPN管q2的基极相连接，PNP管q1的基极与NPN管q2的集电极相连接，电阻R1将PNP管q1的基极与发射极相连，电阻R2将NPN管q2的基极与发射极相连接，电阻Rin一端输入端口dis连接，另一端分别与二极管DHW的阴极、电阻Rs和PNP管q1的发射极相连，电阻Rs另一端与PNP管q1的基极以及6个串联的栅源连接的pmos管P1的源极相连，二极管DHW的阳极、NPN管q2的发射极和P6的漏极连接至地。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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