[发明专利]一种沟槽型晶体管器件结构及制作方法在审
| 申请号： | 201611140369.8 | 申请日： | 2016-12-12 |
| 公开（公告）号： | CN106684126A | 公开（公告）日： | 2017-05-17 |
| 发明（设计）人： | 陈雪萌;王艳颖;杨林森 | 申请（专利权）人： | 中航（重庆）微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/423 | 分类号： | H01L29/423;H01L21/336;H01L29/78 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所31219 | 代理人： | 余明伟 |
| 地址： | 401331 重庆*** | 国省代码： | 重庆;85 |
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| 摘要： | 本发明提供一种沟槽型晶体管器件结构及制作方法，该结构包括自上而下依次排布的源区、体区、漂移区和漏区，以及垂直于所述源区、体区、漂移区和漏区的沟槽型栅区；其中，所述沟槽型栅区包括填充在沟槽内的多晶硅，位于所述沟槽内壁与所述多晶硅之间的栅介质层，以及插入所述多晶硅内部的金属导电层。本发明的沟槽型晶体管器件结构，在栅极沟槽中形成氧化层/多晶硅/金属导电层的“三明治”结构，电阻率低的金属替代一部分电阻率相对高的多晶硅，使器件的栅电阻有效降低，从而提高了器件的开关速度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 沟槽 晶体管 器件 结构 制作方法 | ||
【主权项】：
一种沟槽型晶体管器件结构，其特征在于，包括：自上而下依次排布的源区、体区、漂移区和漏区，以及垂直于所述源区、体区、漂移区和漏区的沟槽型栅区；其中，所述沟槽型栅区包括填充在沟槽内的多晶硅，位于所述沟槽内壁与所述多晶硅之间的栅介质层，以及插入所述多晶硅内部的金属导电层。
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