[发明专利]半导体结构及其制造方法有效
| 申请号： | 201611140528.4 | 申请日： | 2016-12-12 |
| 公开（公告）号： | CN107026147B | 公开（公告）日： | 2020-07-10 |
| 发明（设计）人： | 张哲诚;林志翰;曾鸿辉 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/528 | 分类号： | H01L23/528;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明的实施例提供了一种半导体结构，包括衬底、至少一个第一栅极结构、至少一个源极漏极结构、至少一个底部导体、以及第一介电层。第一栅极结构存在于衬底上。源极漏极结构存在于衬底上。底部导体电连接至源极漏极结构。底部导体具有上部部分和介于上部部分与源极漏极结构之间的下部部分，并且间隙至少存在于底部导体的上部部分与第一栅极结构之间。第一介电层至少存在于底部导体的下部部分与第一栅极结构之间。本发明的实施例还提供了一种用于制造半导体结构的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体结构，包括：衬底；至少一个第一栅极结构，存在于所述衬底上；至少一个源极漏极结构，存在于所述衬底上；至少一个底部导体，连接至所述源极漏极结构，所述底部导体具有上部部分和介于所述上部部分与所述源极漏极结构之间的下部部分，其中，间隙至少存在于所述底部导体的上部部分与所述第一栅极结构之间；以及第一介电层，至少存在于所述底部导体的下部部分与所述第一栅极结构之间。
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