[发明专利]一种MEMS器件及其制备方法、电子装置有效
| 申请号： | 201611140954.8 | 申请日： | 2016-12-12 |
| 公开（公告）号： | CN108609575B | 公开（公告）日： | 2020-09-08 |
| 发明（设计）人： | 王伟;郑超 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | B81B7/02 | 分类号： | B81B7/02;B81C1/00 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 高伟;冯永贞 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种MEMS器件及其制备方法、电子装置。所述方法包括：提供第一晶圆，在所述第一晶圆的有源区中形成有目标图案，在所述第一晶圆的表面上以及所述目标图案的表面上还形成有第一接合界面层；提供第二晶圆，在所述第二晶圆的表面上形成有第二接合界面层；将所述第二晶圆的第二接合界面层和所述第一晶圆的第一接合界面层相接合；在所述第二晶圆中形成虚拟开口，所述虚拟开口至少穿过部分厚度的所述第一接合界面层，以释放所述第一晶圆与第二晶圆相接合中产生的应力。所述方法可以使第一晶圆和第二晶圆接合过程中产生的应力得到释放，从而保持第一晶圆和第二晶圆不会发生弯曲，进一步提高所述MEMS器件的性能和良率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 mems 器件 及其 制备 方法 电子 装置 | ||
【主权项】：
1.一种MEMS器件的制备方法，其特征在于，包括：提供第一晶圆，在所述第一晶圆的有源区中形成有目标图案，在所述第一晶圆的表面上以及所述目标图案的表面上还形成有第一接合界面层；提供第二晶圆，在所述第二晶圆的表面上形成有第二接合界面层；将所述第二晶圆的第二接合界面层和所述第一晶圆的第一接合界面层相接合；在所述第二晶圆中形成虚拟开口，所述虚拟开口至少穿过部分厚度的所述第一接合界面层，以释放所述第一晶圆与第二晶圆相接合中产生的应力。
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