[发明专利]多孔硅基气体传感器及其应用于气体检测的方法在审
申请号: | 201611141046.0 | 申请日: | 2016-12-12 |
公开(公告)号: | CN108614016A | 公开(公告)日: | 2018-10-02 |
发明(设计)人: | 焦继伟;袁素珺 | 申请(专利权)人: | 上海新微技术研发中心有限公司 |
主分类号: | G01N27/22 | 分类号: | G01N27/22 |
代理公司: | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人: | 刘星 |
地址: | 201800 上海市嘉定*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明提供一种多孔硅基气体传感器及其应用于气体检测的方法,所述多孔硅基气体传感器包括由经同种方法改性的下层多孔硅及上层多孔硅组成的双层改性多孔硅;所述下层多孔硅与所述上层多孔硅连通,且所述下层多孔硅底部封闭;所述上层多孔硅吸附的气体可进入所述下层多孔硅中;所述上层多孔硅的平均孔径大于所述下层多孔硅的平均孔径;所述双层多孔硅的改性方法包括气相法或液相法。本发明的多孔硅基气体传感器可持续地对气体进行检测,且在断电后仍可发挥作用,具有低能耗、无需活化、低成本的优点。同时,多孔硅制备简单成本低廉,无需考虑循环利用等问题,在实际应用中本发明中的多孔硅基传感器可直接抛弃替换。 | ||
搜索关键词: | 多孔硅 多孔硅基 下层 气体传感器 改性 上层 平均孔径 气体检测 应用 底部封闭 简单成本 循环利用 传感器 低成本 低能耗 气相法 液相法 断电 活化 连通 吸附 制备 替换 抛弃 检测 | ||
【主权项】:
1.一种多孔硅基气体传感器,其特征在于:所述多孔硅基气体传感器包括由经同种方法改性的下层多孔硅及上层多孔硅组成的双层改性多孔硅;所述下层多孔硅与所述上层多孔硅连通,且所述下层多孔硅底部封闭;所述上层多孔硅吸附的气体可进入所述下层多孔硅中;所述上层多孔硅的平均孔径大于所述下层多孔硅的平均孔径。
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