[发明专利]多孔硅基气体传感器及其应用于气体检测的方法在审

专利信息
申请号: 201611141046.0 申请日: 2016-12-12
公开(公告)号: CN108614016A 公开(公告)日: 2018-10-02
发明(设计)人: 焦继伟;袁素珺 申请(专利权)人: 上海新微技术研发中心有限公司
主分类号: G01N27/22 分类号: G01N27/22
代理公司: 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 代理人: 刘星
地址: 201800 上海市嘉定*** 国省代码: 上海;31
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明提供一种多孔硅基气体传感器及其应用于气体检测的方法,所述多孔硅基气体传感器包括由经同种方法改性的下层多孔硅及上层多孔硅组成的双层改性多孔硅;所述下层多孔硅与所述上层多孔硅连通,且所述下层多孔硅底部封闭;所述上层多孔硅吸附的气体可进入所述下层多孔硅中;所述上层多孔硅的平均孔径大于所述下层多孔硅的平均孔径;所述双层多孔硅的改性方法包括气相法或液相法。本发明的多孔硅基气体传感器可持续地对气体进行检测,且在断电后仍可发挥作用,具有低能耗、无需活化、低成本的优点。同时,多孔硅制备简单成本低廉,无需考虑循环利用等问题,在实际应用中本发明中的多孔硅基传感器可直接抛弃替换。
搜索关键词: 多孔硅 多孔硅基 下层 气体传感器 改性 上层 平均孔径 气体检测 应用 底部封闭 简单成本 循环利用 传感器 低成本 低能耗 气相法 液相法 断电 活化 连通 吸附 制备 替换 抛弃 检测
【主权项】:
1.一种多孔硅基气体传感器,其特征在于:所述多孔硅基气体传感器包括由经同种方法改性的下层多孔硅及上层多孔硅组成的双层改性多孔硅;所述下层多孔硅与所述上层多孔硅连通,且所述下层多孔硅底部封闭;所述上层多孔硅吸附的气体可进入所述下层多孔硅中;所述上层多孔硅的平均孔径大于所述下层多孔硅的平均孔径。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海新微技术研发中心有限公司,未经上海新微技术研发中心有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201611141046.0/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top