[发明专利]非易失性存储器设备和操作非易失性存储器设备的方法有效
| 申请号： | 201611141785.X | 申请日： | 2016-12-12 |
| 公开（公告）号： | CN107017027B | 公开（公告）日： | 2022-02-18 |
| 发明（设计）人： | 李浩俊;朱相炫 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | G11C16/34 | 分类号： | G11C16/34;G11C29/44 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 邵亚丽 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种操作非易失性存储器设备的方法，包括：从NAND串中包括的多个选择晶体管当中选择第一选择晶体管；以及对第一选择晶体管的第一阈值电压执行检查操作。检查操作包括：将第一阈值电压与第一下限参考电压水平比较；以及当第一阈值电压低于第一下限参考电压水平时，对第一选择晶体管执行编程操作。当第一阈值电压等于或高于第一下限参考电压水平时，对第一阈值电压的检查操作结束。 | ||
| 搜索关键词： | 非易失性存储器 设备 操作 方法 | ||
【主权项】：
一种操作非易失性存储器设备的方法，所述方法包括：从NAND串中包括的多个选择晶体管当中选择第一选择晶体管；以及对第一选择晶体管的第一阈值电压执行第一检查操作，其中，执行第一检查操作包括：将第一阈值电压与第一下限参考电压水平比较；以及当第一阈值电压低于第一下限参考电压水平时，对第一选择晶体管执行编程操作，其中，当第一阈值电压等于或高于第一下限参考电压水平时，对第一阈值电压的第一检查操作结束。
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