[发明专利]半导体装置和制作半导体装置的方法有效
| 申请号： | 201611142856.8 | 申请日： | 2016-12-12 |
| 公开（公告）号： | CN106952860B | 公开（公告）日： | 2021-07-09 |
| 发明（设计）人： | 汉斯-马丁·里特;约阿希姆·乌茨格;法兰克·伯迈斯特;霍德弗里德·亨克里斯·约瑟夫斯·诺特曼斯;约亨·韦南茨;雷内·明茨拉夫 | 申请（专利权）人： | 安世有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762;H01L23/12 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 麦善勇;张天舒 |
| 地址： | 荷兰*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本公开提出一种半导体装置和制作半导体装置的方法。该装置包括基板，该基板包括主表面和背面。该装置还包括介电分隔，该介电分隔用于将基板的第一部分与基板的第二部分电隔离。介电分隔从主表面延伸穿过基板到背面。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 制作 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体装置，其特征在于，包括：基板，所述基板包括主表面和背面；一个或多个电接触，所述一个或多个电接触位于所述主表面上；以及介电分隔，所述介电分隔用于将所述基板的第一部分与所述基板的第二部分电隔离，其中所述介电分隔从所述主表面延伸穿过所述基板到所述背面。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于安世有限公司，未经安世有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201611142856.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：摩托车LED大灯（XBT‑12）
- 下一篇：铜钱灯头
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
