[发明专利]一种多晶硅片的制备方法在审
| 申请号： | 201611145383.7 | 申请日： | 2016-12-13 |
| 公开（公告）号： | CN106784059A | 公开（公告）日： | 2017-05-31 |
| 发明（设计）人： | 陈德榜 | 申请（专利权）人： | 温州海旭科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/0236 | 分类号： | H01L31/0236;H01L31/18 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 325000 浙江省温州市经*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种多晶硅片的制备方法，包括以下步骤A、多晶硅绒面制备；B、高温扩散；C、湿刻蚀；D、PECVD镀膜；E、丝网印刷；F、分选测试；G、包装入库，本发明操作方法简单，制备的多晶硅片位错密度小，晶粒均匀，能够提高太阳能电池的转换效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 多晶 硅片 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种多晶硅片的制备方法,其特征在于：包括以下步骤：A、多晶硅绒面制备；B、高温扩散；C、湿刻蚀；D、PECVD镀膜；E、丝网印刷；F、分选测试；G、包装入库。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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