[发明专利]一种半导体器件及其制造方法在审
| 申请号： | 201611146086.4 | 申请日： | 2016-12-13 |
| 公开（公告）号： | CN108231872A | 公开（公告）日： | 2018-06-29 |
| 发明（设计）人： | 邓浩 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/423 | 分类号： | H01L29/423;H01L21/28 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 董巍;高伟 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体器件及其制造方法，所述半导体器件包括：半导体衬底；位于所述半导体衬底上的金属栅极；以及位于所述金属栅极与所述半导体衬底之间的覆盖层，所述覆盖层包括Ge掺杂离子。与现有工艺相比，本发明提出的半导体器件，其中的覆盖层具有较高的扩散阻挡能力和较低的电阻；此外，与Si元素相比，Ge元素不易发生扩散，对器件性能的影响较小。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 覆盖层 衬底 半导体 金属栅极 扩散阻挡能力 掺杂离子 器件性能 电阻 制造 扩散 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，其特征在于，包括：半导体衬底；位于所述半导体衬底上的金属栅极；以及位于所述金属栅极与所述半导体衬底之间的覆盖层，所述覆盖层包括Ge掺杂离子。
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