[发明专利]显示装置及其制造方法有效
申请号: | 201611147363.3 | 申请日: | 2016-12-13 |
公开(公告)号: | CN108231790B | 公开(公告)日: | 2019-09-17 |
发明(设计)人: | 宋艳芹;胡思明;杨楠;张九占 | 申请(专利权)人: | 昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司;昆山国显光电有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L21/77 |
代理公司: | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人: | 智云 |
地址: | 215300 江苏省苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明提供了一种显示装置及其制造方法,其中,所述显示装置的制造方法包括:提供一衬底;在所述衬底上形成一多晶硅层;图形化所述多晶硅层以形成多个多晶硅区块;对所述多个多晶硅区块进行离子注入;在所述多个多晶硅区块上形成一栅极绝缘层;在所述栅极绝缘层上形成一第一导电层;以及图形化所述第一导电层以形成多条数据线,所述多条数据线的部分线段与所述多个多晶硅区块的位置交叠以形成多个补偿电容。在本发明实施例提供的显示装置及其制造方法中,利用掺杂有杂质的多晶硅层与第一导电层的交叠区域形成补偿电容,以减少所述补偿电容的占用面积,从而避免扫描线无法与GIP电路连接的问题。 | ||
搜索关键词: | 多晶硅区块 显示装置 第一导电层 补偿电容 多晶硅层 栅极绝缘层 数据线 图形化 制造 衬底 线段 电路连接 交叠区域 扫描线 交叠 离子 掺杂 占用 | ||
【主权项】:
1.一种显示装置的制造方法,其特征在于,包括:提供一衬底;在所述衬底上形成一多晶硅层;图形化所述多晶硅层以形成多个多晶硅区块,所述多晶硅区块位于靠近非显示区域的GIP电路的区域;对所述多个多晶硅区块进行离子注入;在所述多个多晶硅区块上形成一栅极绝缘层;在所述栅极绝缘层上形成一第一导电层;以及图形化所述第一导电层以形成多条数据线,所述多条数据线的部分线段与所述多个多晶硅区块的位置交叠以形成多个补偿电容,所述补偿电容用于对所述数据线上的寄生电容进行补偿,因每列像素个数不一致,导致不同数据线上的所述寄生电容不一致。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司;昆山国显光电有限公司,未经昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司;昆山国显光电有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201611147363.3/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:包括突起焊盘的半导体存储器装置
- 下一篇:显示装置
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的