[发明专利]显示装置及其制造方法有效

专利信息
申请号: 201611147363.3 申请日: 2016-12-13
公开(公告)号: CN108231790B 公开(公告)日: 2019-09-17
发明(设计)人: 宋艳芹;胡思明;杨楠;张九占 申请(专利权)人: 昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司;昆山国显光电有限公司
主分类号: H01L27/12 分类号: H01L27/12;H01L21/77
代理公司: 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 代理人: 智云
地址: 215300 江苏省苏*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 发明提供了一种显示装置及其制造方法,其中,所述显示装置的制造方法包括:提供一衬底;在所述衬底上形成一多晶硅层;图形化所述多晶硅层以形成多个多晶硅区块;对所述多个多晶硅区块进行离子注入;在所述多个多晶硅区块上形成一栅极绝缘层;在所述栅极绝缘层上形成一第一导电层;以及图形化所述第一导电层以形成多条数据线,所述多条数据线的部分线段与所述多个多晶硅区块的位置交叠以形成多个补偿电容。在本发明实施例提供的显示装置及其制造方法中,利用掺杂有杂质的多晶硅层与第一导电层的交叠区域形成补偿电容,以减少所述补偿电容的占用面积,从而避免扫描线无法与GIP电路连接的问题。
搜索关键词: 多晶硅区块 显示装置 第一导电层 补偿电容 多晶硅层 栅极绝缘层 数据线 图形化 制造 衬底 线段 电路连接 交叠区域 扫描线 交叠 离子 掺杂 占用
【主权项】:
1.一种显示装置的制造方法,其特征在于,包括:提供一衬底;在所述衬底上形成一多晶硅层;图形化所述多晶硅层以形成多个多晶硅区块,所述多晶硅区块位于靠近非显示区域的GIP电路的区域;对所述多个多晶硅区块进行离子注入;在所述多个多晶硅区块上形成一栅极绝缘层;在所述栅极绝缘层上形成一第一导电层;以及图形化所述第一导电层以形成多条数据线,所述多条数据线的部分线段与所述多个多晶硅区块的位置交叠以形成多个补偿电容,所述补偿电容用于对所述数据线上的寄生电容进行补偿,因每列像素个数不一致,导致不同数据线上的所述寄生电容不一致。
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