[发明专利]一种晶体硅太阳能电池及其制备方法在审
| 申请号： | 201611147723.X | 申请日： | 2016-12-13 |
| 公开（公告）号： | CN106784033A | 公开（公告）日： | 2017-05-31 |
| 发明（设计）人： | 眭山;方结彬;秦崇德;石强;方志文;何达能;陈刚 | 申请（专利权）人： | 广东爱康太阳能科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/0216 | 分类号： | H01L31/0216;H01L31/0264;H01L31/18 |
| 代理公司： | 佛山市中迪知识产权代理事务所(普通合伙)44283 | 代理人： | 张伶俐 |
| 地址： | 528100 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种晶体硅太阳能电池，其特征在于所述晶体硅太阳能电池包括具有紧密连接的P层和N层的电池体，N层的表面上设有三角形绒面层，P层远离N层的一侧处设有铝背场，P层和N层上分别设有正电极和背电极，P层上设有至少两个均匀分布的钝化层，相邻钝化层之间设有硼掺杂层。本发明的晶体硅太阳能电池光电转换效率高、且易于加工。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 晶体 太阳能电池 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种晶体硅太阳能电池，其特征在于：所述晶体硅太阳能电池包括具有紧密连接的P层(1)和N层(2)的电池体，N层(2)的表面上设有三角形绒面层(21)，P层(1)远离N层(2)的一侧处设有铝背场(11)，P层(1)和N层(2)上分别设有正电极(22)和背电极(12)，P层(1)上设有至少两个均匀分布的钝化层(3)，相邻钝化层(3)之间设有硼掺杂层(4)。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
