[发明专利]非对称结构相移光栅及DFB半导体激光器在审
申请号: | 201611148097.6 | 申请日: | 2016-12-13 |
公开(公告)号: | CN108233171A | 公开(公告)日: | 2018-06-29 |
发明(设计)人: | 郑俊守;孙雨舟;王祥忠 | 申请(专利权)人: | 苏州旭创科技有限公司 |
主分类号: | H01S5/12 | 分类号: | H01S5/12;H01S5/125 |
代理公司: | 苏州威世朋知识产权代理事务所(普通合伙) 32235 | 代理人: | 杨林洁 |
地址: | 215000 江*** | 国省代码: | 江苏;32 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本申请揭示了一种非对称结构相移光栅,所述相移光栅包括相移结构及位于相移结构两侧的第一光栅和第二光栅,所述第一光栅的长度大于第二光栅,所述第一光栅和第二光栅的刻蚀深度相同且光栅周期相等;所述第一光栅和第二光栅分别包括相邻相移结构设置的第一均匀段光栅,所述第一光栅还包括设置于第一均匀段光栅背离相移结构一侧的第二均匀段光栅;所述第一光栅及第二光栅的第一均匀段光栅的长度相等,占空比均保持恒定。本发明中的非对称结构相移光栅在引入一定长度的第一均匀段光栅之后,可有效减弱空间烧孔效应的影响,提高了DFB激光器的稳定性。 | ||
搜索关键词: | 光栅 相移光栅 相移 非对称结构 半导体激光器 长度相等 光栅周期 结构设置 恒定 占空比 刻蚀 烧孔 相等 背离 申请 引入 | ||
【主权项】:
1.一种非对称结构相移光栅,其特征在于,所述相移光栅包括相移结构及位于相移结构两侧的第一光栅和第二光栅,所述第一光栅的长度大于第二光栅,所述第一光栅和第二光栅的刻蚀深度相同且光栅周期相等;所述第一光栅和第二光栅分别包括相邻相移结构设置的第一均匀段光栅,所述第一光栅还包括设置于第一均匀段光栅背离相移结构一侧的第二均匀段光栅;所述第一光栅及第二光栅的第一均匀段光栅的长度相等,占空比均保持恒定。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于苏州旭创科技有限公司,未经苏州旭创科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201611148097.6/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种半导体激光光源
- 下一篇:非对称结构相移光栅及DFB半导体激光器