[发明专利]一种抗单粒子烧毁的VDMOS器件及其制作方法在审
| 申请号： | 201611151538.8 | 申请日： | 2016-12-14 |
| 公开（公告）号： | CN106653856A | 公开（公告）日： | 2017-05-10 |
| 发明（设计）人： | 蔺伟聪;郑莹 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第四十七研究所 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 沈阳科苑专利商标代理有限公司21002 | 代理人： | 许宗富,周秀梅 |
| 地址： | 110032 辽*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种抗单粒子烧毁的VDMOS器件，属于功率半导体器件技术领域。该VDMOS在源漏区域中间断开多晶硅条，在断开的结型场效应电阻处注入一定的P型离子，从而形成一种具有新型结构的耗尽区。这种新型结构在一定程度上加大了耗尽区的宽度，降低基区的电阻，降低了其雪崩击穿的灵敏度，从而达到抗单粒子烧毁的目的，提高了该器件的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 粒子 烧毁 vdmos 器件 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种抗单粒子烧毁的VDMOS器件的制作方法，其特征在于：该方法是通过改变VDMOS器件的栅下耗尽区结构，即在所述栅下耗尽区通过离子注入工艺掺入P型离子，从而获得抗单粒子烧毁的VDMOS器件。
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