[发明专利]一种液态金属增强内传热的芯片在审
申请号: | 201611153073.X | 申请日: | 2016-12-14 |
公开(公告)号: | CN108231707A | 公开(公告)日: | 2018-06-29 |
发明(设计)人: | 赵亮;吴波;杨明明;焦超锋;醋强一;张娅妮 | 申请(专利权)人: | 中国航空工业集团公司西安航空计算技术研究所 |
主分类号: | H01L23/367 | 分类号: | H01L23/367;H01L23/373;H01L23/44 |
代理公司: | 中国航空专利中心 11008 | 代理人: | 郭平 |
地址: | 710000 *** | 国省代码: | 陕西;61 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 一种液态金属增强内传热的芯片,随着芯片性能的不断提高,陶瓷芯片功耗不断增大,特别是随着三维堆叠,SIP能封装形式的出现,芯片封装密度不断增大,热流密度随之增大,芯片自身散热问题十分严峻。同时由于陶瓷芯片密封性等问题芯片内冲入氮气(9),氮气(9)导热率极低,使得芯片散热途径狭窄。本发明将液态金属(7)填充入芯片封装内,增强传热路径,减少芯片热阻,提高芯片散热性能。 | ||
搜索关键词: | 芯片 液态金属 氮气 陶瓷芯片 芯片封装 芯片散热 内传热 传热路径 封装形式 三维堆叠 散热问题 导热率 密封性 热流 功耗 内冲 热阻 填充 狭窄 | ||
【主权项】:
1.一种液态金属增强内传热的芯片,包括封盖(1)、封口环(2)、陶瓷基板(3)、硅芯片(4)、键合丝(5)、管腿(6),其特征在于,在封盖、封口环与陶瓷基板间形成的空腔内加入导热率高的液态金属(7)。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国航空工业集团公司西安航空计算技术研究所,未经中国航空工业集团公司西安航空计算技术研究所许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201611153073.X/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种功率半导体器件封装结构及封装方法
- 下一篇:用于双面冷却电子模块的换热器