[发明专利]一种腔室和半导体设备

摘要

本发明公开了一种腔室及半导体设备。该腔室包括腔体、设置在腔体底部的基座、套置在腔体内壁的屏蔽环、叠置在屏蔽环下表面边缘区域的遮蔽环，且遮蔽环位于基座边缘区域上方，该腔室还包括环绕基座外周壁设置的导通装置，并且基座外周壁接地。在工艺时，基座带动导通装置上升，当基座顶起遮蔽环时，遮蔽环与屏蔽环之间形成间隙，导通装置将屏蔽环与基座外周壁进行电连接导通。本发明的半导体设备包含本发明的腔室。本发明的腔室和半导体设备通过导通装置使得工艺时产生等离子的区域和基座下方腔室被接地回路完全阻隔，阻止了甚高频从屏蔽环与遮蔽环之间的间隙泄露至基座下方，防止了基座下方启辉。

主权项

1.一种腔室，包括腔体、设置在所述腔体底部的基座、套置在所述腔体内壁的屏蔽环、叠置在所述屏蔽环下部的上表面边缘区域的遮蔽环，且所述遮蔽环位于所述基座边缘区域上方，其特征在于，还包括环绕所述基座外周壁设置的导通装置，并且所述基座外周壁接地；在工艺时，所述基座带动所述导通装置上升，当所述基座顶起所述遮蔽环时，所述遮蔽环与所述屏蔽环之间形成间隙，所述导通装置将所述屏蔽环与所述基座外周壁进行电连接导通。