[发明专利]半导体装置结构在审
| 申请号： | 201611153981.9 | 申请日： | 2016-12-14 |
| 公开（公告）号： | CN107017223A | 公开（公告）日： | 2017-08-04 |
| 发明（设计）人： | 王永智;卡罗斯·H·戴尔兹;林天禄 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/522 | 分类号： | H01L23/522;H01L21/768 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司72003 | 代理人： | 王芝艳 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 半导体装置结构包含半导体基底，第一导电插塞和第二导电插塞位于半导体基底上方且彼此相邻，第一导通孔结构和第二导通孔结构位于半导体基底上方且彼此相邻，第一导电插塞与第二导电插塞之间的第一距离小于第一导通孔结构与第二导通孔结构之间的第二距离，第一导电插塞的第一高度大于第一导通孔结构的第二高度。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 结构 | ||
【主权项】：
一种半导体装置结构，包括:一半导体基底；一第一导电插塞和一第二导电插塞，位于该半导体基底上方且彼此相邻；以及一第一导通孔结构和一第二导通孔结构，位于该半导体基底上方且彼此相邻，其中该第一导电插塞与该第二导电插塞之间的一第一距离小于该第一导通孔结构与该第二导通孔结构之间的一第二距离，且该第一导电插塞的一第一高度大于该第一导通孔结构的一第二高度。
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