[发明专利]存储器单元及存储器阵列有效
| 申请号： | 201611154298.7 | 申请日： | 2016-12-14 |
| 公开（公告）号： | CN107785053B | 公开（公告）日： | 2020-04-24 |
| 发明（设计）人： | 吴孟益;翁伟哲;陈信铭 | 申请（专利权）人： | 力旺电子股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C17/16 | 分类号： | G11C17/16;G11C17/18;H01L27/112 |
| 代理公司： | 深圳新创友知识产权代理有限公司 44223 | 代理人： | 江耀纯 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种存储器阵列包括复数个存储器单元，每一存储器单元包括第一选择晶体管、第一接续栅极晶体管、反熔丝晶体管、第二接续栅极晶体管及第二选择晶体管。第二接续栅极晶体管及第二选择晶体管会与第一接续栅极晶体管及第一选择晶体管以反熔丝晶体管为中心互相对成排列。透过两个接续栅极晶体管及两个选择晶体管所形成的对称路径，就能够减少存储器单元中晶体管的栅极宽度以及晶体管之间的隔离结构，进而减少存储器阵列所需的芯片面积。 | ||
| 搜索关键词： | 存储器 单元 阵列 | ||
【主权项】：
一种存储器单元，其特征在于，包括：第一选择晶体管，具有第一端耦接于位线，第二端，及栅极端耦接于字符线；第一接续栅极晶体管，具有第一端耦接于所述第一选择晶体管的所述第二端，第二端，及栅极端耦接于接续控制线；反熔丝晶体管，具有第一端耦接于所述第一接续栅极晶体管的所述第二端，第二端，及栅极端耦接于反熔丝控制线；第二接续栅极晶体管，具有第一端耦接于所述反熔丝晶体管的所述第二端，第二端，及栅极端耦接于所述接续控制线；及第二选择晶体管，具有第一端耦接于所述第二接续栅极晶体管的所述第二端，第二端耦接于所述位线，及栅极端耦接于所述字符线。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于力旺电子股份有限公司，未经力旺电子股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201611154298.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
