[发明专利]图像传感器结构及其制作方法有效
| 申请号： | 201611157013.5 | 申请日： | 2016-12-15 |
| 公开（公告）号： | CN106783902B | 公开（公告）日： | 2019-11-22 |
| 发明（设计）人： | 胡少坚;耿阳;陈寿面 | 申请（专利权）人： | 上海集成电路研发中心有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146 |
| 代理公司： | 31237 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) | 代理人： | 王仙子<国际申请>=<国际公布>=<进入 |
| 地址： | 201210 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种图像传感器结构及其制作方法，所述图像传感器结构包括衬底、背栅、栅氧介质层和量子点层，所述衬底上设置有接触电极，所述背栅设置在所述衬底上，所述栅氧介质层覆盖在所述背栅上，所述量子点层设置在所述栅氧介质层上，所述量子点层与所述接触电极连接。在本发明提供的图像传感器结构及其制作方法中，所述图像传感器结构采用背栅来对量子点层的载流子迁移率进行控制，背栅上覆盖有栅氧介质层，通过在背栅上加不同的电压，来影响量子点层由光产生的载流子的迁移率，从而影响光敏电流的大小，进而可以调控光电效应的灵敏度，解决现有图像传感器中动态范围不足的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 图像传感器 结构 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种图像传感器结构，其特征在于，所述图像传感器结构包括：/n衬底，所述衬底上设置有接触电极，且所述接触电极仅设置在所述衬底上；/n背栅，所述背栅设置在所述衬底上；/n栅氧介质层，所述栅氧介质层覆盖在所述背栅上；/n量子点层，所述量子点层设置在所述栅氧介质层上，所述量子点层与所述接触电极连接；/n工作时在所述背栅上加不同的电压，用于调控光电效应的灵敏度。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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