[发明专利]一种提高VDMOS器件抗辐照能力的方法在审
| 申请号： | 201611157712.X | 申请日： | 2016-12-15 |
| 公开（公告）号： | CN106783573A | 公开（公告）日： | 2017-05-31 |
| 发明（设计）人： | 任通;郑莹 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第四十七研究所 |
| 主分类号： | H01L21/285 | 分类号： | H01L21/285;H01L21/3105;H01L29/423;H01L29/51;B82Y30/00 |
| 代理公司： | 沈阳科苑专利商标代理有限公司21002 | 代理人： | 许宗富,周秀梅 |
| 地址： | 110032 辽*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种提高VDMOS器件抗辐照能力的方法，属于半导体制造技术领域。该方法是将VDMOS器件中的栅氧化层替换为三层结构栅，从而提高VDMOS器件的抗辐照能力；所述三层结构栅是由依次叠加复合的氮氧化物层、氢氧合成氧化层和氮氧化物层组成。本发明将H2‑O2合成和氮氧化栅两种技术结台起来，充分利用两者的优点制成三层结构栅氧化层。本发明对比常规氧化、H2‑O2合成氧化，可有效提高VDMOS器件抗辐照特性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 提高 vdmos 器件 辐照 能力 方法 | ||
【主权项】：
一种提高VDMOS器件抗辐照能力的方法，其特征在于：该方法是将VDMOS器件中的栅氧化层替换为三层结构栅，从而提高VDMOS器件的抗辐照能力；所述三层结构栅是由依次叠加复合的氮氧化物层、氢氧合成氧化层和氮氧化物层组成。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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