[发明专利]半导体元件及其制作方法有效
| 申请号： | 201611159736.9 | 申请日： | 2016-12-15 |
| 公开（公告）号： | CN108231670B | 公开（公告）日： | 2021-07-20 |
| 发明（设计）人： | 朱猛剀 | 申请（专利权）人： | 联华电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8232 | 分类号： | H01L21/8232;H01L27/12 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 陈小雯 |
| 地址： | 中国台湾*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开一种半导体元件及其制作方法。该制作半导体元件的方法，包括：首先提供一基底，该基底包含一第一半导体层、一绝缘层以及一第二半导体层，然后形成一主动元件于基底上，形成一层间介电层于基底及主动元件上，形成一掩模层于层间介电层上，去除部分掩模层、部分层间介电层以及部分绝缘层以形成一第一接触洞。接着形成一图案化掩模于掩模层上并填满第一接触洞，再去除部分掩模层及部分层间介电层以形成一第二接触洞暴露部分主动元件。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 元件 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种制作半导体元件的方法，包含：提供一基底，该基底包含第一半导体层、绝缘层以及第二半导体层；形成一主动元件于该基底上；形成一层间介电层于该基底及该主动元件上；形成一掩模层于该层间介电层上；去除部分该掩模层、部分该层间介电层以及部分该绝缘层以形成一第一接触洞；形成一图案化掩模于该掩模层上并填入该第一接触洞；以及去除部分该掩模层及部分该层间介电层以形成一第二接触洞暴露部分该主动元件。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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