[发明专利]一种半导体器件及其制造方法、电子装置

摘要

本发明提供一种半导体器件及其制造方法、电子装置，所述方法包括：提供半导体衬底，在半导体衬底上形成有栅极结构，在栅极结构两侧的半导体衬底中形成有源/漏区；在半导体衬底上形成层间介电层，覆盖栅极结构；在层间介电层上形成具有接触孔开口图案的硬掩膜层，所述接触孔开口图案至少包括对应栅极结构的接触孔开口图案以及对应源/漏区的接触孔开口图案；在半导体衬底上形成牺牲材料层，仅露出硬掩膜层中对应源/漏区的接触孔开口图案；以牺牲材料层为掩膜，部分蚀刻露出的层间介电层；去除牺牲材料层后，完整蚀刻露出的层间介电层，以形成接触孔。根据本发明，形成的接触孔不会出现穿通栅极结构的现象，进而提升器件的性能和良率。

主权项

1.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成有栅极结构，在所述栅极结构两侧的半导体衬底中形成有源/漏区；在所述半导体衬底上形成层间介电层，覆盖所述栅极结构；在所述层间介电层上形成具有接触孔开口图案的硬掩膜层，所述接触孔开口图案至少包括对应所述栅极结构的接触孔开口图案以及对应所述源/漏区的接触孔开口图案；在所述半导体衬底上形成牺牲材料层，仅露出所述硬掩膜层中对应所述源/漏区的接触孔开口图案；以所述牺牲材料层为掩膜，部分蚀刻露出的所述层间介电层；去除所述牺牲材料层后，完整蚀刻露出的所述层间介电层，以形成接触孔。