[发明专利]一种电子器件抗辐射性能测试方法和系统有效
| 申请号： | 201611160352.9 | 申请日： | 2016-12-15 |
| 公开（公告）号： | CN106841845B | 公开（公告）日： | 2021-06-29 |
| 发明（设计）人： | 孙向明;刘军;许怒 | 申请（专利权）人： | 华中师范大学 |
| 主分类号： | G01R31/00 | 分类号： | G01R31/00 |
| 代理公司： | 武汉开元知识产权代理有限公司 42104 | 代理人： | 黄行军 |
| 地址： | 430079 *** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种电子器件抗辐射性能测试方法和系统，将被测电子器件与像素芯片平行放置，标定它们的的空间相对位置；将被测电子器件和像素芯片置于束流中，辐射粒子从像素芯片的一侧沿直线穿过，射入被测电子器件，像素芯片输出所述每个辐射粒子射入的位置和时间；监测被测电子器件的工作状态，若被测电子器件出现单粒子效应，记录与单粒子效应发生时间对应的辐射粒子射入像素芯片的时间为特征时间，特征时间对应的辐射粒子射入像素芯片的位置为特征位置；被测电子器件上与像素芯片的特征位置相对应的位置即为引发单粒子效应的辐射粒子射入被测电子器件的位置。本发明操作简单、实用性强，可以为被测电子器件抗辐射性能的研究提供参考信息。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 电子器件 辐射 性能 测试 方法 系统 | ||
【主权项】：
一种电子器件抗辐射性能测试方法，其特征在于，包括如下步骤：1)将被测电子器件与像素芯片平行放置，标定像素芯片与被测电子器件的空间相对位置；2)将平行放置的被测电子器件和像素芯片置于束流中，将像素芯片面向所述束流发射方向，所述束流中的辐射粒子从所述像素芯片的一侧沿直线穿过，射入所述被测电子器件，所述像素芯片输出所述每个辐射粒子射入的位置和时间；3)监测所述被测电子器件的工作状态，若所述被测电子器件出现单粒子效应，记录与所述单粒子效应发生时间对应的所述辐射粒子射入所述像素芯片的时间为特征时间，所述特征时间对应的所述辐射粒子射入所述像素芯片的位置为特征位置；4)根据像素芯片与被测电子器件的相对位置关系，确定被测电子器件与所述像素芯片的特征位置相对应的位置，即为引发单粒子效应的辐射粒子射入被测电子器件的位置。
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