[发明专利]一种GaN基发光二极管外延片的制造方法有效
| 申请号： | 201611161065.X | 申请日： | 2016-12-15 |
| 公开（公告）号： | CN106848020B | 公开（公告）日： | 2019-05-14 |
| 发明（设计）人： | 李红丽;胡加辉 | 申请（专利权）人： | 华灿光电（浙江）有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/32 | 分类号： | H01L33/32;H01L33/14;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人： | 徐立 |
| 地址： | 322000 浙江省金华市义*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种GaN基发光二极管外延片的制造方法，属于半导体技术领域。包括：在衬底上依次形成缓冲层、未掺杂GaN层、N型GaN层、N型阻挡层、应力释放层、量子阱、P型电子阻挡层、P型GaN层；N型阻挡层由高温AlGaN层和低温GaN层组成，高温AlGaN层和低温GaN层中均掺杂有N型掺杂剂，高温AlGaN层的生长温度高于低温GaN层的生长温度。本发明通过高温AlGaN层有效限制电子的迁移，减小电子的迁移速率，提高发光阱区载流子的浓度，最终提升发光效率；同时通过低温GaN层阻隔缺陷，改变V形坑的大小和开口位置，减少由于晶格失配产生的位错，减少漏电，提高抗静电能力。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 gan 发光二极管 外延 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种GaN基发光二极管外延片的制造方法，其特征在于，所述制造方法包括：在衬底上依次形成缓冲层、未掺杂GaN层、N型GaN层、N型阻挡层、应力释放层、量子阱、P型电子阻挡层、P型GaN层；其中，所述N型阻挡层由高温AlGaN层和低温GaN层组成，所述高温AlGaN层和所述低温GaN层中均掺杂有N型掺杂剂，所述高温AlGaN层的生长温度高于所述低温GaN层的生长温度。
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