[发明专利]基板处理装置和基板处理装置的调整方法有效
申请号: | 201611161171.8 | 申请日: | 2016-12-15 |
公开(公告)号: | CN107068588B | 公开(公告)日: | 2021-10-22 |
发明(设计)人: | 重富贤一;七种刚;碛本荣一;福留生将;吉原孝介;榎木田卓;竹下和宏;梅木和人 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人: | 龙淳 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明提供一种基板处理装置和基板处理装置的调整方法。不仅在基板的面内而且在基板间,都能够进行均匀性良好的加热处理。在基板处理装置中,包括分别将基板载置在载置台来对该基板进行加热的多个加热组件,其包括:设置在载置台的多个加热器,其发热量能相互独立地被控制;和控制部,其输出控制信号,使得对于与多个加热器分别对应的基板的被加热部位,从预先决定的第1时刻直至第2时刻之间的累计热量在1台载置台中一致并且在多个加热组件之间一致。第1时刻为在加热器的发热量稳定的状态下在基板被载置于载置台后的基板的温度变化曲线中,向基板的处理温度升温过程中的时刻,第2时刻为在温度变化曲线中基板达到了处理温度后的时刻。 | ||
搜索关键词: | 处理 装置 调整 方法 | ||
【主权项】:
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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