[发明专利]磁记录介质及磁记录再生装置

摘要

一种磁记录介质，其非磁性基板上至少设置了软磁性底层、配向控制层、垂直磁性层及保护层，垂直磁性层从基板侧开始依次包括第1至第4磁性层，第1至第4磁性层为粒状结构磁性层，构成第1至第4磁性层的磁性颗粒为连续柱状晶，第1磁性层和第2磁性层之间及第2磁性层和第3磁性层之间分别具有交换结合控制层，第3磁性层与第4磁性层接触，第1至第4磁性层为强磁结合，在第1至第4磁性层的磁各向异性常数为Ku_i、饱和磁化强度为Ms_i及膜厚为t_i时，满足Ku_i＞Ku_i+1(i＝1，2)、Ms_i·t_i＞Ms_i+1·t_i+1(i＝1，2)、Ku_i＜Ku_i+1(i＝3)及Ms_i·t_i＜Ms_i+1·t_i+1(i＝3)的关系。

主权项

1.一种磁记录介质，在该磁记录介质的非磁性基板上至少设置了软磁性底层、对正上面的层的配向性进行控制的配向控制层、易磁化轴相对于所述非磁性基板进行了垂直配向的垂直磁性层、及保护层，其中，所述垂直磁性层从所述非磁性基板侧开始依次包括第1磁性层、第2磁性层、第3磁性层、及第4磁性层，所述第1磁性层至所述第4磁性层为粒状结构磁性层，构成所述第1磁性层至所述第4磁性层的磁性颗粒为连续柱状晶，所述第1磁性层和所述第2磁性层之间及所述第2磁性层和所述第3磁性层之间分别具有交换结合控制层，所述第3磁性层与所述第4磁性层接触，所述第1磁性层至所述第4磁性层为强磁结合，在所述第1磁性层至所述第4磁性层的磁各向异性常数为Ku_i、饱和磁化强度为Ms_i、及膜厚为t_i时，满足如下关系，即：Ku_i＞Ku_i+1，这里，i＝1，2；Ms_i·t_i＞Ms_i+1·t_i+1，这里，i＝1，2；Ku_i＜Ku_i+1，这里，i＝3；及Ms_i·t_i＜Ms_i+1·t_i+1，这里，i＝3。