[发明专利]一种气体流量控制装置及其气体流量控制方法有效
申请号: | 201611161477.3 | 申请日: | 2016-12-15 |
公开(公告)号: | CN108231620B | 公开(公告)日: | 2021-01-19 |
发明(设计)人: | 魏强 | 申请(专利权)人: | 中微半导体设备(上海)股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 上海信好专利代理事务所(普通合伙) 31249 | 代理人: | 周乃鑫;周荣芳 |
地址: | 201201 上海市浦东新*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 一种气体流量控制装置及其气体流量控制方法,气体流量控制装置包含划分为圆形进气区域和至少一个同心设置的环形进气区域的气体喷淋头,每一个环形进气区域又包含多个扇形区域,圆形进气区域和每一个扇形区域都具有供气通道,圆形进气区域和每一个扇形区域上都设置多个气体通孔,每个供气通道连接一个气体管路,每个气体管路通过流量控制器连接到气源,每个气体管路上设置电子开关阀门,通过控制环形进气区域上所有气体管路上的电子开关阀门轮流开启或关闭,来控制环形进气区域上的气体流量。本发明通过控制气体管路的开启或关闭的时间来控制气体流量,可以较为精准地控制气量,从而对刻蚀不均匀进行有效补偿,而且用较为简单的开关阀门来代替流量控制器,极大地节省了成本。 | ||
搜索关键词: | 一种 气体 流量 控制 装置 及其 方法 | ||
【主权项】:
1.一种气体流量控制装置,其特征在于,该气体流量控制装置设置在半导体刻蚀设备上,所述的气体流量控制装置包含:气体喷淋头(3),其设置在半导体刻蚀设备的反应腔(1)内部,位于晶片(2)上方,该气体喷淋头(3)包含圆形进气区域和至少一个同心设置的环形进气区域,所述圆形进气区域和环形进气区域互相隔离,且圆形进气区域和环形进气区域的下表面包含多个气体通孔(4)用于通入反应气体,每一个环形进气区域又包含多个扇形区域,不同的扇形区域之间互相隔离,每一个扇形区域都具有一个供气通道;多个气体管路(5),其分别连接气体喷淋头(3)上的多个扇形区域对应的多个供气通道;多个电子开关阀门(6),其分别设置在每一个气体管路(5)上,每一个电子开关阀门(6)都连接控制器,用于控制气体管路(5)的通断;一个流量控制器(7),其包含一个输出端联通到环形进气区域上的所有气体管路(5),用于控制提供给环形进气区域的总气量;气源(8),其管路连接所述流量控制器(7),用于提供反应气体;所述控制器控制所述每一个电子开关阀门(6)交替通断,使得反应气体流入不同扇形区域的流量比例与各个扇形区域对应的电子开关阀门(6)的开通时间成正比。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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