[发明专利]一种氮化硅宽频带透波材料

摘要

本发明涉及一种透波复合材料，特别涉及一种氮化硅宽频带透波材料。所述的材料包括七层，所述的材料包括Si3N4、Al2O3、Y2O3、造孔剂和分散剂，对应比例为1：x1：x2：x3：x4：x5；从上至下第一、三、五、七层材料配比相同，其中x1＝0.03‑0.08，x2＝0.02‑0.04，x3＝0.06‑0.1，x4＝0.01‑0.03，x5＝5‑13；从上至下第二、四、六层材料配比相同，其中x1＝0.01‑0.05，x2＝0.03‑0.08，x3＝0.1‑0.5，x4＝0.04‑0.08，x5＝13‑20。本发明提供一种七层氮化硅多层结构，可通过调节介电常数实现在18～40GHz的高频段、宽频带透波特性。本发明用于新一代高超音速空空、空地、地空反辐射导弹天线罩及其它耐高温次承力部件，具有一定的军事效益和经济效益。

主权项

1.一种氮化硅宽频带透波材料，其特征为：所述的材料包括七层，所述的材料包括Si3N4、Al2O3、Y2O3、造孔剂和分散剂，对应比例为1：x1：x2：x3：x4：x5；从上至下第一、三、五、七层材料配比相同，其中x1＝0.03‑0.08，x2＝0.02‑0.04，x3＝0.06‑0.1，x4＝0.01‑0.03，x5＝5‑13；从上至下第二、四、六层材料配比相同，其中x1＝0.01‑0.05，x2＝0.03‑0.08，x3＝0.1‑0.5，x4＝0.04‑0.08，x5＝13‑20。