[发明专利]基于CNFET的三值或非门及三值1-3线地址译码器有效

专利信息
申请号: 201611165143.3 申请日: 2016-12-16
公开(公告)号: CN106847327B 公开(公告)日: 2018-09-18
发明(设计)人: 汪鹏君;龚道辉;张会红;康耀鹏 申请(专利权)人: 宁波大学
主分类号: G11C8/10 分类号: G11C8/10;G11C11/418
代理公司: 宁波奥圣专利代理事务所(普通合伙) 33226 代理人: 方小惠
地址: 315211 浙*** 国省代码: 浙江;33
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摘要: 发明公开了一种基于CNFET的三值或非门及三值1‑3线地址译码器,基于CNFET的三值或非门包括第一CNFET管、第二CNFET管、第三CNFET管、第四CNFET管和第五CNFET,基于CNFET的三值1‑3线地址译码器包括第一CNFET管、第二CNFET管、第三CNFET管、第四CNFET管、第五CNFET管、第六CNFET管、第七CNFET管、第八CNFET管、第九CNFET管、第十CNFET管和第十一CNFET管;优点是功耗较低,延时较小。
搜索关键词: 基于 cnfet 非门 地址 译码器
【主权项】:
1.一种基于CNFET的三值1‑3线地址译码器,其特征在于包括第一CNFET管、第二CNFET管、第三CNFET管、第四CNFET管、第五CNFET管、第六CNFET管、第七CNFET管、第八CNFET管、第九CNFET管、第十CNFET管和第十一CNFET管;所述的第三CNFET管、所述的第四CNFET管、所述的第七CNFET管、所述的第八CNFET管和所述的第十CNFET管均为P型CNFET管,所述的第一CNFET管、所述的第二CNFET管、所述的第五CNFET管、所述的第六CNFET管、所述的第九CNFET管和所述的第十一CNFET管均为N型CNFET管;所述的第一CNFET管的栅极、所述的第四CNFET管的源极、所述的第七CNFET管的源极、所述的第八CNFET管的源极和所述的第十CNFET管的源极均接入第一电源,所述的第一CNFET管的漏极接入第二电源,所述的第二电源的电压是所述的第一电源的电压的一半;所述的第八CNFET管的栅极、所述的第九CNFET管的栅极、所述的第十CNFET管的栅极和所述的第十一CNFET管的栅极连接且其连接端为所述的三值1‑3线地址译码器的输入端;所述的第二CNFET管的栅极、所述的第三CNFET管的栅极、所述的第八CNFET管的漏极和所述的第九CNFET管的漏极连接且其连接端为所述的三值1‑3线地址译码器的第一输出端;所述的第二CNFET管的源极、所述的第五CNFET管的源极、所述的第六CNFET管的源极、所述的第九CNFET管的源极和所述的第十一CNFET管的源极均接地;所述的第六CNFET管的栅极、所述的第七CNFET管的栅极、所述的第十CNFET管的漏极和所述的第十一CNFET管的漏极连接,所述的第四CNFET管的栅极、所述的第五CNFET管的栅极、所述的第六CNFET管的漏极和所述的第七CNFET管的漏极连接且其连接端为所述的三值1‑3线地址译码器的第三输出端;所述的第一CNFET管的源极、所述的第二CNFET管的漏极、所述的第三CNFET管的漏极和所述的第五CNFET管的漏极连接且其连接端为所述的三值1‑3线地址译码器的第二输出端;所述的第三CNFET管的源极和所述的第四CNFET管的漏极连接。
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