[发明专利]一种等离子处理器、刻蚀均匀性调节系统及方法有效
申请号: | 201611165614.0 | 申请日: | 2016-12-16 |
公开(公告)号: | CN108206143B | 公开(公告)日: | 2020-09-25 |
发明(设计)人: | 梁洁;涂乐义;吴磊;叶如彬 | 申请(专利权)人: | 中微半导体设备(上海)股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 上海信好专利代理事务所(普通合伙) 31249 | 代理人: | 潘朱慧 |
地址: | 201201 上海市浦东新*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明公开了一种刻蚀均匀性调节系统,包含若干反馈调节装置以及一连接反馈调节装置的计算控制单元;每个反馈调节装置分别包含:电流监视器,安装在等离子体反应腔的限制环与接地环之间,并连接所述的计算控制单元;主动升降机,安装在等离子体反应腔的限制环与接地环之间并位于上述电流监视器的对应位置;计算控制单元通过若干电流监视器获取限制环与接地环之间各区域的电流分布大小控制主动升降机调节限制环与接地环之间的间隙。其优点是:通过主动升降机和电流监视器的共同作用,实现对等离子体分均匀性的实时主动反馈控制。 | ||
搜索关键词: | 一种 等离子 处理器 刻蚀 均匀 调节 系统 方法 | ||
【主权项】:
1.一种刻蚀均匀性调节系统,连接一等离子处理器,该等离子处理器包含一等离体子反应腔,该等离子体反应腔内具有通过一用于放置晶圆的基座,基座与反应腔侧壁之间具有限制环(1)与接地环(2),其中限制环(1)上具有多个气体通道用于将等离子体限制在限制环上方,接地环由导体制成并且电接地,其特征在于,该刻蚀均匀性调节系统包含若干反馈调节装置以及一连接上述反馈调节装置的计算控制单元(3);其中,每个所述的反馈调节装置分别包含:电流监视器(41),安装在等离子体反应腔的限制环(1)与接地环(2)之间,并连接所述的计算控制单元(3),用于对流过其所在区域的限制环(1)与接地环(2)之间的电流进行监视;主动升降机(42),安装在等离子体反应腔的限制环(1)与接地环(2)之间并位于上述电流监视器(41)的对应位置,用于对上述电流监视器所在区域的限制环(1)与接地环(2)之间的间隙进行调整;其中,计算控制单元(3)通过若干电流监视器(41)根据获取得到的限制环(1)与接地环(2)之间各区域的电流分布大小控制主动升降机(42)调节限制环(1)与接地环(2)之间的间隙。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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