[发明专利]半导体器件有效
申请号: | 201611165928.0 | 申请日: | 2016-12-16 |
公开(公告)号: | CN107026148B | 公开(公告)日: | 2019-12-24 |
发明(设计)人: | V.阮;T.奥斯津达;白宗玟;安商燻;金秉熙;刘禹炅;李来寅 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 |
主分类号: | H01L23/528 | 分类号: | H01L23/528;H01L23/532;H01L21/768 |
代理公司: | 11105 北京市柳沈律师事务所 | 代理人: | 屈玉华 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | 一种半导体器件可以包括:基板;第一中间绝缘层,在基板上并具有开口;导电图案,设置在开口中;第一至第四绝缘图案,堆叠在设置有导电图案的基板上;和第二中间绝缘层,设置在第四绝缘图案上。 | ||
搜索关键词: | 半导体器件 | ||
【主权项】:
1.一种半导体器件,包括:/n基板,具有第一区和第二区;/n第一中间绝缘层,在所述基板上并限定开口;/n导电图案,在所述开口中,在所述基板的所述第二区上限定空气间隙,所述空气间隙被限定在所述导电图案之间;/n第一至第四绝缘图案,依次堆叠在所述基板的所述第一区上以覆盖所述导电图案,且在所述第一至第四绝缘图案中的相邻层之间形成界面;和/n第二中间绝缘层,在所述第四绝缘图案上,/n其中所述第四绝缘图案延伸为包括覆盖所述第二区上的所述导电图案的至少一部分,以及/n其中在所述第一区中所述第一绝缘图案与所述导电图案接触。/n
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