[发明专利]半导体器件有效

专利信息
申请号: 201611165928.0 申请日: 2016-12-16
公开(公告)号: CN107026148B 公开(公告)日: 2019-12-24
发明(设计)人: V.阮;T.奥斯津达;白宗玟;安商燻;金秉熙;刘禹炅;李来寅 申请(专利权)人: 三星电子株式会社
主分类号: H01L23/528 分类号: H01L23/528;H01L23/532;H01L21/768
代理公司: 11105 北京市柳沈律师事务所 代理人: 屈玉华
地址: 韩国*** 国省代码: 韩国;KR
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 一种半导体器件可以包括:基板;第一中间绝缘层,在基板上并具有开口;导电图案,设置在开口中;第一至第四绝缘图案,堆叠在设置有导电图案的基板上;和第二中间绝缘层,设置在第四绝缘图案上。
搜索关键词: 半导体器件
【主权项】:
1.一种半导体器件,包括:/n基板,具有第一区和第二区;/n第一中间绝缘层,在所述基板上并限定开口;/n导电图案,在所述开口中,在所述基板的所述第二区上限定空气间隙,所述空气间隙被限定在所述导电图案之间;/n第一至第四绝缘图案,依次堆叠在所述基板的所述第一区上以覆盖所述导电图案,且在所述第一至第四绝缘图案中的相邻层之间形成界面;和/n第二中间绝缘层,在所述第四绝缘图案上,/n其中所述第四绝缘图案延伸为包括覆盖所述第二区上的所述导电图案的至少一部分,以及/n其中在所述第一区中所述第一绝缘图案与所述导电图案接触。/n
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于三星电子株式会社,未经三星电子株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201611165928.0/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top