[发明专利]非易失性存储器设备以及对其进行编程的方法有效
| 申请号： | 201611168375.4 | 申请日： | 2016-12-16 |
| 公开（公告）号： | CN107017028B | 公开（公告）日： | 2022-03-01 |
| 发明（设计）人： | 金荣民;朴一汉;尹盛远;林惠镇 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | G11C16/34 | 分类号： | G11C16/34 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 邵亚丽 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 提供了一种非易失性存储器设备。存储单元阵列包括多个存储单元。地址译码器在第一编程循环中将第一验证电压提供至多个存储单元当中的所选择的存储单元，并且在第二编程循环中将第二验证电压提供至所选择的存储单元。控制逻辑基于第一编程循环的验证操作的结果，将第二编程循环确定为验证电压偏移点，在验证电压偏移点中将第一验证电压改变为第二验证电压。 | ||
| 搜索关键词： | 非易失性存储器 设备 以及 进行 编程 方法 | ||
【主权项】：
一种非易失性存储器设备，包括：存储单元阵列，包括多个存储单元；地址译码器，在第一编程循环中将第一验证电压提供至多个存储单元当中的所选择的存储单元，并且在第二编程循环中将第二验证电压提供至所选择的存储单元；以及控制逻辑，基于第一编程循环的验证操作的结果，将第二编程循环确定为验证电压偏移点，在验证电压偏移点中将第一验证电压改变为第二验证电压。
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