[发明专利]一种双面电池边缘隔离的方法在审
| 申请号： | 201611169572.8 | 申请日： | 2016-12-16 |
| 公开（公告）号： | CN106601874A | 公开（公告）日： | 2017-04-26 |
| 发明（设计）人： | 王金艺;金井升;金浩;张昕宇 | 申请（专利权）人： | 浙江晶科能源有限公司;晶科能源有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18;H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 罗满 |
| 地址： | 314416 浙江*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本申请公开了一种双面电池边缘隔离的方法，包括：提供一硅棒；在所述硅棒的外周部注入预设离子，所述预设离子在所述硅棒内形成绝缘环；对所述硅棒进行切片并制成双面电池，这种绝缘环将之后扩散会掺杂的边缘与硅片中间有PN结的区域隔离开，这样就不会造成短路，有效地保护PN结，从而达到防止漏电的效果。本申请提供的上述双面电池边缘隔离的方法，能够从源头断绝漏电的发生，而且可以提高效率，降低成本。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 双面 电池 边缘 隔离 方法 | ||
【主权项】：
1.一种双面电池边缘隔离的方法，其特征在于，包括：提供一硅棒；利用氧气或臭氧为源气体在所述硅棒的外周部注入氧离子或在所述硅棒的外周部注入氢离子，在所述硅棒内形成外圆位置距离所述硅棒表面17微米至23微米的厚度范围为7微米至13微米的二氧化硅环；对所述硅棒进行切片并制成双面电池。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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